标准包装 | 400 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 51A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 26 mOhm @ 51A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 86nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 180W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tube |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 100 V |
源极击穿电压 | +/- 16 V |
连续漏极电流 | 51 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 0.023 Ohms |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TO-263AB |
封装 | Tube |
下降时间 | 110 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 180 W |
上升时间 | 55 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 151 ns |
寿命 | Obsolete |
最大门源电压 | ±16 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | D2PAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 26@10V |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-263AB |
最大功率耗散 | 180000 |
最大连续漏极电流 | 51 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 51A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 400 |
供应商设备封装 | D²PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 26 mOhm @ 51A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 180W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2400pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 86nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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